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去層研磨鑲嵌

離子刻蝕機RIE-1C

設(shè)定好工藝配方后“一鍵式”操作

可處理一片4英寸晶片或多枚切片

工藝完成時響鈴?fù)ㄖ?/p>

安全設(shè)施以保護操作員和設(shè)備

緊湊式設(shè)計

小體積可節(jié)省空間

離子刻蝕機RIE-1C

產(chǎn)品簡介:

RIE-1C是一種緊湊的反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)。該系統(tǒng)是潔凈室空間有限的實驗室的理想解決方案,其設(shè)計可優(yōu)化刻蝕速率、均勻性和選擇性,尤其適合去除IC失效分析中的鈍化層。

RIE-1C是一種氟基蝕刻系統(tǒng),也可用于蝕刻硅基薄膜、難熔金屬、金屬硅化物和旋涂玻璃。配方設(shè)置完成,按一下按鈕就可以開始完整的基板/設(shè)備處理。

應(yīng)用:

1、刻蝕鈍化材料如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅。

2、金屬間介電層的刻蝕及剖面調(diào)整。

3、失效分析用集成電路板上殘留封裝材料的刻蝕。

4、光刻膠和聚酰亞胺的刻蝕。

5、硅、多晶硅、難熔金屬、硅化金屬、旋涂玻璃等的刻蝕。

特征:

1、設(shè)定好工藝配方后“一鍵式”操作。

2、可處理一片4英寸晶片或多枚切片。

3、工藝完成時響鈴?fù)ㄖ?/p>

4、安全設(shè)施以保護操作員和設(shè)備。

5、緊湊式設(shè)計。

6、小體積可節(jié)省空間。

主要參數(shù)規(guī)格:

反應(yīng)室

石英,?212 mm

上下電極

?120mm、水冷

射頻功率

13.56MHz,200W晶體振蕩,手動匹配

進氣管

2條

壓力測量

隔膜表(0~2.66x 102 Pa)

真空系統(tǒng)

干泵(500L/min)

尺寸

主機:400毫米(寬)x 440毫米(深)x 325毫米(高)

支架:400 mm(寬)x 620 mm(深)x 798 mm(高)

 


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